公司是領(lǐng)先的量子材料晶體生產(chǎn)技術(shù)供應(yīng)商,致力于向國(guó)際國(guó)內(nèi)高校、研究機(jī)構(gòu)和科技型公司提供性能優(yōu)越的量子材料。主導(dǎo)產(chǎn)品為拓?fù)浣^緣體、拓?fù)浒虢饘?、拓?fù)涑瑢?dǎo)體、磁性拓?fù)洳牧?、二維層狀結(jié)構(gòu)量子材料、低維材料等...
我們致力于讓更多的單位可以用,上性能優(yōu)異的量子功能材料,加快量子功能應(yīng)用的研發(fā)進(jìn)度。通過(guò)市場(chǎng)的規(guī)模效益,不斷提高 材料性能,保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
· 性能領(lǐng)先
· 多個(gè)唯一
· 個(gè)性定制
· 穩(wěn)定供應(yīng)
2019年依托于北京理工大學(xué)物理學(xué)院成立研究團(tuán)隊(duì),研究成員目前包括四名博士研究生、四名碩士研究生和兩名本科生,研究方向主要聚焦于
單晶量子材料的制備和物性研究,包括但不限于拓?fù)浣^緣體、拓?fù)浒虢饘俸屯負(fù)涑瑢?dǎo)體。上述的新型量子材料因其獨(dú)特的表面態(tài)輸運(yùn)而備受關(guān)注,
有望應(yīng)用于下一代低功耗器件,解決能耗和發(fā)熱問(wèn)題。團(tuán)隊(duì)成員在團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人的指導(dǎo)下,從事量子功能材料的晶體生長(zhǎng)和新材料探索
是一類(lèi)遵循量子力學(xué)規(guī)律進(jìn)行高速數(shù)學(xué)和邏輯運(yùn)算
隨著OLED、量子點(diǎn)等技術(shù)的逐步成熟,新一輪技術(shù)革
量子點(diǎn)從材料科學(xué)到生命科學(xué)、從基礎(chǔ)研究到實(shí)際
提供了商業(yè)化二維單層薄膜產(chǎn)品和超一半的二維晶
全世界對(duì)新能源的需求量逐年增長(zhǎng),未來(lái)的新能源
利用液相輸運(yùn)生長(zhǎng)大尺寸的超導(dǎo)的InxSn1-xTe(0.04<x<0.1)單晶。Peng Zhu, Yongkai Li, Xiaohui Yang, Ying Yang, Xin Zhang, Xiao Lin, Fan Yang,...
由光譜揭示的kagome金屬CsV3Sb5中電荷密度波的起源。Xiaoxiang Zhou#, Yongkai Li#, Xinwei Fan#, Jiahao Hao, Yaomin Dai*,Zhiwei Wang*, Yugui Yao a...
拓?fù)浞磋F磁材料MnBi2Te4的多帶低能激發(fā)的紅外研究。Bing Xu, Y Zhang, E. H. Alizade, Z. A. Jahangirli, F. Lyzwa, E. Sheveleva, P. Marsik, Y. K. L...
三維拓?fù)浣^緣體BiSbTeSe2的遷移率譜分析。Jimin Wang, Alexander Kurzendorfer, Lin Chen, Zhiwei Wang, Yoichi Ando, Yang Xu, Ireneusz Miotkowski, ...
從超低溫中解放出來(lái),科學(xué)家們釋放新型量子材料
科學(xué)家制造出量子“域墻”,新的量子技術(shù)成為可能
陳仙輝院士:未來(lái)支撐人類(lèi)發(fā)展的將是量子材料
谷歌找到更準(zhǔn)確地模擬量子材料的方法
是一類(lèi)遵循量子力學(xué)規(guī)律進(jìn)行高速數(shù)學(xué)和邏輯運(yùn)算、存儲(chǔ)及處理量子信息的物理裝置。當(dāng)某個(gè)裝置處理和計(jì)算的是
隨著OLED、量子點(diǎn)等技術(shù)的逐步成熟,新一輪技術(shù)革命早已進(jìn)入了白熱化。自2013年索尼發(fā)布全球首款量子點(diǎn)電視
量子點(diǎn)從材料科學(xué)到生命科學(xué)、從基礎(chǔ)研究到實(shí)際應(yīng)用都開(kāi)展了廣泛的研究。 量子點(diǎn)在生物成像、光治療、藥物/基
提供了商業(yè)化二維單層薄膜產(chǎn)品和超一半的二維晶體產(chǎn)品
全世界對(duì)新能源的需求量逐年增長(zhǎng),未來(lái)的新能源市場(chǎng)需求相當(dāng)可觀(guān)
利用液相輸運(yùn)生長(zhǎng)大尺寸的超導(dǎo)的InxSn1-xTe(0.04<x<0.1)單晶。Peng Zhu, Yongkai Li, Xiaohui Yang, Ying Yang, Xin Zhang,
由光譜揭示的kagome金屬CsV3Sb5中電荷密度波的起源。Xiaoxiang Zhou#, Yongkai Li#, Xinwei Fan#, Jiahao Hao, Yaomin Dai*,Zhiwe
拓?fù)浞磋F磁材料MnBi2Te4的多帶低能激發(fā)的紅外研究。Bing Xu, Y Zhang, E. H. Alizade, Z. A. Jahangirli, F. Lyzwa, E. Sheveleva
三維拓?fù)浣^緣體BiSbTeSe2的遷移率譜分析。Jimin Wang, Alexander Kurzendorfer, Lin Chen, Zhiwei Wang, Yoichi Ando, Yang Xu, I
.在三維拓?fù)浣^緣體中通過(guò)量子電容探測(cè)其二維狄拉克表面態(tài)和體隙。Jimin Wang*, Cosimo Gorini, Klaus Richter, Zhiwei Wang, Yoic
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